Direct Pressed Die (DPD)

Pushing Standards to New Limits

Mehr Performance im kompakten Design

Als Weiterentwicklung der Double Sided Sintering Technology (DSS) präsentierte SEMIKRON 2016 die Direct Pressed Die Technology (DPD). Zusätzlich zum Sintern des Chips auf die DBC und der Biegeschicht auf den Chip innerhalb der DSS-Technologie verwendet die DPD-Technologie ein Druckelement, das eine Kraft direkt auf die Oberseite des Chips ausübt. Dadurch entsteht eine optimierte thermische Verbindung zum Kühler dort, wo sie tatsächlich benötigt wird: direkt unter dem Chip.

Es gibt keine feste Verbindung zwischen der DCB und dem Kühlkörper, was eine große Flexibilität bei der Auswahl der Kühlung bietet. Ein DPD-basiertes Leistungsmodul kann flexibel auf konvektions- oder zwangsgekühlten Kühlkörpern sowie auf Wasserkühlern montiert werden. Die minimale Schicht aus Wärmeleitpaste erzeugt eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, was wiederum zu einer ausgezeichneten Leistungsdichte führt.

Die DPD-Technologie kann auch in Standard-Bodenplatten- oder bodenplattenlose Gehäuse sowie in Hochleistungsleistungsmodule integriert werden. Dank der flexiblen und nicht festen Verbindung wird die mechanische Beanspruchung minimiert, und damit erreicht die Temperatur- und Lastwechselfähigkeit neue Maßstäbe.

Elektrisch zeichnet sich die DPD-Technologie eine geringe Streuinduktivität aus, was die Integration der neuesten Wide-Bandgap-Technologien und extrem schnelles Schalten ermöglicht.

Die DPD-Technologie ermöglicht eine höhere Leistungsdichte bei längerer Lebensdauer im Vergleich zu herkömmlichen lotbasierten Aufbau- und Verbindungstechnologien. Damit eröffnet sie neue Systemlösungen für die ständig steigenden Anforderungen an die Leistungselektronik in Anwendungen wie Traktionsumrichter in E-Mobilität. 

Direct Pressed Die – Eigenschaften und Vorteile

  • Hochzuverlässige Sinterverbindungen, die Löt- und Drahtbonden ersetzen
  • Hohe Wärmeleitfähigkeit vom Chip bis zum Kühler
  • Hohe Leistungsdichte
  • Hohe Zuverlässigkeit bei Lastwechseln
  • Lange Lebensdauer
  • Hohe Stoßströme dank großer Kontaktfläche der Chip-Anbindung
  • Design mit extrem niedriger Kommutierungsinduktivität
  • Perfekt für Wide-Bandgap-Bauelemente (z.B. Siliziumkarbid)