IGBT Generation 7

Die modernste Stufe der IGBT-Chiptechnologie

Die mit 650V, 950V und 1200V Sperrspannung erhältlichen IGBTs der Generation 7 repräsentieren die neueste IGBT-Chiptechnologie.

Die neuen 1200V-IGBTs sind speziell für die Anforderungen von Motorantrieben ausgelegt. Bei SEMIKRON sind sie als IGBT T7 und IGBT M7 von zwei Anbietern erhältlich. Beide IGBTs weisen eine deutlich geringere Durchlassspannung V_ce,sat auf und bieten ein optimiertes Schaltverhalten. Dank etwa 25 % kleinerer Chips bei gleichem Nominalstrom lassen sich höhere Stromstärken in bestehende Modulgehäuse einbauen. Darüber hinaus weisen alle IGBTs der Generation 7 eine verbesserte Robustheit gegenüber Feuchtigkeit auf, was die Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen weiter verbessert.

In der Anwendung bietet die 1200V-IGBT-Generation 7 reduzierte Verlustleistungen oder eine erhöhte maximale Ausgangsleistung und Leistungsdichte. Dies schlägt sich in niedrigeren Systemkosten nieder. Bei den Motorantrieben wird die IGBT der Generation 7 zunächst in konventionelle Antriebstopologien eingeführt: CIB (Converter-Inverter-Brake), Sixpack- und Halbbrücken-Konfigurationen. Für Antriebe kleiner und mittlerer Leistung ist im MiniSKiiP und SEMITOP E1/E2 der IGBT T7 verfügbar. Für höhere Leistungsklassen ist der IGBT M7 in SEMiX 3-Einpresstechnik und SEMiX 6-Einpresstechnik erhältlich. Weitere Modultypen folgen.

Die 950V-IGBTs wurden speziell für Solaranwendungen entwickelt und sind in zwei verschiedenen Ausführungen, S7 und L7, erhältlich. Während S7 die geringsten Schaltverluste aufweist, sind die L7-Chips für eine sehr geringe Durchlassspannung V_ce,sat ausgelegt. Beide Chips arbeiten perfekt in Kombination mit anspruchsvollen 3-Level-Topologien wie z.B. ANPC (Active Neutral Point Clamp). Damit bedienen sie Solar- und Energiespeichersystem-Anwendungen mit Zwischenkreisspannungen von bis zu 1500V_DC.