IGBT Generation 7
Der neue Standard in der Leistungselektronik
Die modernste Stufe der IGBT-Chiptechnologie
Die mit 650V, 950V und 1200V Sperrspannung erhältlichen IGBTs der Generation 7 repräsentieren die neueste IGBT-Chiptechnologie.
Die neuen 1200V-IGBTs sind speziell für die Anforderungen von Motorantrieben ausgelegt. Bei SEMIKRON sind sie als IGBT T7 und IGBT M7 von zwei Anbietern erhältlich. Beide IGBTs weisen eine deutlich geringere Durchlassspannung Vce,sat auf und bieten ein optimiertes Schaltverhalten. Dank etwa 25 % kleinerer Chips bei gleichem Nominalstrom lassen sich höhere Stromstärken in bestehende Modulgehäuse einbauen. Darüber hinaus weisen alle IGBTs der Generation 7 eine verbesserte Robustheit gegenüber Feuchtigkeit auf, was die Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen weiter verbessert.
In der Anwendung bietet die 1200V-IGBT-Generation 7 reduzierte Verlustleistungen oder eine erhöhte maximale Ausgangsleistung und Leistungsdichte. Dies schlägt sich in niedrigeren Systemkosten nieder. Bei den Motorantrieben wird die IGBT der Generation 7 zunächst in konventionelle Antriebstopologien eingeführt: CIB (Converter-Inverter-Brake), Sixpack- und Halbbrücken-Konfigurationen. Für Antriebe kleiner und mittlerer Leistung ist im MiniSKiiP und SEMITOP E1/E2 der IGBT T7 verfügbar. Für höhere Leistungsklassen ist der IGBT M7 in SEMiX 3-Einpresstechnik und SEMiX 6-Einpresstechnik erhältlich. Weitere Modultypen folgen.
Die 950V-IGBTs wurden speziell für Solaranwendungen entwickelt und sind in zwei verschiedenen Ausführungen, S7 und L7, erhältlich. Während S7 die geringsten Schaltverluste aufweist, sind die L7-Chips für eine sehr geringe Durchlassspannung Vce,sat ausgelegt. Beide Chips arbeiten perfekt in Kombination mit anspruchsvollen 3-Level-Topologien wie z.B. ANPC (Active Neutral Point Clamp). Damit bedienen sie Solar- und Energiespeichersystem-Anwendungen mit Zwischenkreisspannungen von bis zu 1500VDC.
Motorumrichter mit kleiner und mittlerer Leistung, Solarwechselrichter und Energiespeicher
Für höhere Leistungsklassen
SEMiX® 3 Press-Fit
Besser als der Industriestandard, für überragende Performance und komplette Motorantriebslösungen mit Gleichrichter, Bremschopper und Halbbrücke
Eigenschaften
- IGBTs der neuesten Generation von zwei verschiedenen Herstellern
- 1200V-IGBTs optimiert für Motorantriebe
- Reduzierte Sättigungsspannung und Chip-Größe
- Höhere Nennströme im gleichen Leistungsmodul
- Bis zu 20 % höhere Ausgangsleistung
- Geringere Gesamtkosten
- 950V-IGBTs optimiert für Solar- und Energiespeicheranwendungen in 3-Level-Topologien bis 1500VDC