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Leistungselektronik für Energie-Speichersysteme

Unsere Lösungen für Energie-Speichersysteme

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Leistungselektronik für Energie-Speichersysteme

Mit dezentralisierten erneuerbaren Energiequellen in unserem Stromnetz wächst die Nachfrage nach Energiespeichersystemen zur Stabilisierung von Schwankungen schnell. Das Portfolio von SEMIKRON umfasst eine breite Palette von Produkten für Energie-Speichersysteme, von kleinen und mittleren Leistungsmodulen für Speichersysteme im Wohn- und Industriebereich bis hin zu Hochleistungskomponenten für Speichersysteme der Versorgungsklasse.

Die Produkte von SEMIKRON bieten höchste Zuverlässigkeit und erfüllen die Anforderungen an eine llange Lebensdauer von Energie-Speichersystemen. Von einzelnen Modulen einschließlich dedizierter Treiber bis hin zu Hochleistungs-SKiiP 4 IPMs und einsatzfähigen Leistungselektronik-Stacks – SEMIKRON hat die Lösung.

Leistungsbereich

SEMITOP E1/E2
20 kW bis 225 kW
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MiniSKiiP
20 kW bis 300 kW
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SEMiX 5
50 kW bis 150 kW
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SEMiX 3 Press-Fit
100 kW bis 400 kW
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SEMITRANS
25 kW bis 1MW
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Treiber
bis 1700 V
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SEMITOP E1/E2
8 kW bis 225 kW
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SEMiX 5
50 kW bis 150 kW
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SEMiX 3 Press-Fit
100 kW bis 400 kW
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SEMITRANS Classic
25 kW bis 1MW
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SEMITRANS 10
500 kW bis 2 MW
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SEMITRANS 20
500 kW bis 2 MW
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SKiiP 3/4 IPM
100 kW bis 3 MW
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Treiber
bis 1700 V
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Leistungselektronik-Stacks
Individuell anpassbar
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Produkt-Highlights

IGBTs der neuesten Generation 7 für höchste Sicherheit in der Lieferkette

Immer dann, wenn niedrige Betzrückwirkungen und hoher Wirkungsgrad treibende Faktoren in leistungselektronischen Anwendungen sind, sind 3-Level-Topologien der Schlüssel. Dies gilt insbesondere für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien, in denen die Kombination mit den IGBTs der neuesten Generation 7 neue Maßstäbe setzt.

Für ANPC-Topologien kombiniert das neue Leistungsmodul SEMITRANS 20 von SEMIKRON niedrigste Streuinduktivität, höchste Leistungsdichte und neueste IGBTs der Generation 7, um einen neuen Maßstab zu setzen. Sein auf der Standard-Halbbrückentopologie basierendes Design ermöglicht einen einfachen ANPC-Aufbau und eine niederinduktive Zwischenkreisverbindung.

Reduzierte Systemkosten durch 3-Level-Topologie

  • Reduced magnetics cost thanks to 3-level topology
  • Bis zu 1,5 MW ohne Parallelschaltung
  • Niedrigere Schaltverluste durch Einsatz von 1200V IGBTs
  • Neueste IGBTs der Generation 7 IGBTs
  • Reduzierte Kabeldurchmesser oder kleinere Kabelverluste
  • Geringerer Kühlungsaufwand

Mehr über IGBT Generation 7

Umfassende Sixpack- und 3-Level Modulplattform

Mit umfassendem Portfolio und optimierten Designs eignen sich SEMiX 5 Leistungsmodule ideal für Hochleistungs-Wechselrichterarchitekturen. Press-Fit Kontakte ermöglichen eine schnelle und lötfreie Montage der Treiberplatine, erhöhte Zuverlässigkeit und niedrige Montagekosten. Eine Adapterplatine zur einfachen Integration von Gate-Treibern ist ebenfalls erhältlich.

Das interne Chip-Layout ist für eine verbesserte thermische Performance optimiert, wodurch die Betriebstemperaturen gesenkt werden und somit die Zuverlässigkeit erhöht wird. Das Gehäuse verfügt über robuste, vergossene Leistungsanschlüsse für überlegene mechanische Stabilität.

Hauptmerkmale

  • Gehäuse mit niedriger Streuinduktivität
  • Lötfreie Montage
  • Optimierte thermische Performance
  • Flexible Architektur
  • Press-Fit-Design der Steuer- und Hilfsanschlüsse
  • 17 mm Modulhöhe

Übertrifft den Standard

  • Optimiertes Moduldesign für ultimativen thermischen Footprint
  • Effektive Wärmespreizung für verbesserte thermische Performance
  • Längere Lebensdauer für höhere Zuverlässigkeitsanforderungen
  • Geeignet für Anwendungen mit sehr schnellem Schalten dank äußerst niederinduktiver Layouts
Mehr über SEMiX 5
ANPC + 950V IGBT: The Perfect Pair for Energy Storage – Power Electronics for Energy Storage Systems

Leistungsmodule

Produktportfolio

 

SEMITOP® E1/E2

Übertrifft den Standard mit überlegener Performance
  • PCB-basierte, bodenplattenlose Industriestandard-Leistungsmodule mit Press-Fit Anschlüssen in zwei Gehäusegrößen
  • Press-Fit-Pins für lötfreie Verbindung zur Leiterplatte
  • 650 V und 1200 V: 10 A bis 250 A
    IGBT 4 und IGBT T7
  • 3-Level-NPC- und ANPC-, Sixpack-, H-Brücke und Halbbrücke-Topologien
  • Optimiertes Montagekonzept und vorapplizierte Hochleistungs-Wärmeleitpaste ermöglichen den niedrigsten Wärmewiderstand in der Klasse
  • Weich und schnell schaltende 650 V IGBT S5 und H5
  • 1200 V Hybrid-SiC- und SiC-MOSFET-Module bis 250 A
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MiniSKiiP®

Lötfreie Federtechnologie für minimale Montagezeit
  • Vollständige Familie von Leistungsmodulen bis zu 300 kW
  • 650 V / 950 V / 1200 V / 1700 V IGBT: 4 A bis 400 A
    1200 V-Hybrid-SiC: 50 A bis 150 A
  • Umfassendes Angebot an Topologien: Sixpack, Twelvepack, H-Brücke, Halbbrücken, 3-Level-Topologien
  • Einfaches und flexibles PCB-Routing ohne Durchführungen für Anschlusspins
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SEMiX® 5

Erweiterter Standard für überlegene thermische und dynamische Performance
  • Industriestandard-Bodenplattenmodul
  • 650 V / 1200 V / 1700 V IGBT: 100 A bis 400 A
  • Sixpack-, NPC- und TNPC-Topologien
  • Optimiertes Modul-Layout für maximale Wärmeübertragung
  • Verbesserte thermische und elektrische Eigenschaften der Freilaufdioden
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SEMiX® 3 Press-Fit

Übertrifft den Standard für Spitzenperformance
  • 17 mm hohes Industriestandard-Gehäuse mit Press-Fit Gateanschlüssen
  • 650 V / 1200 V / 1700 V-IGBT: 225 A bis 700 A
    1200 V-Hybrid-SiC: 600 A
  • Halbbrücken- und Split-NPC-Topologien
  • Direkte Treiber-Montage
  • Typen mit integriertem Shunt-Widerstand erhältlich
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SEMITRANS® Classic

Die bewährten Leistungselektronik-Gehäuse
  • Robuste Industriestandard-Gehäuse für Multiple Sourcing die Mehrquellenbeschaffung in 5 Gehäusegrößen
  • 600 V / 650 V / 1200 V / 1700 V IGBT: 50 A bis 900 A
    1200 V Hybrid-SiC- und SiC-MOSFET-Module: 125 bis 500 A
  • Halbbrücken-, Einzelschalter- und Bremschopper-Topologien
  • Mehrere IGBT-Quellen inklusive IGBT M7 der Generation 7
  • Erweiterter Leistungsbereich der 62 mm Module durch Portfolio-Erweiterung bei 1200 V- und 1700 V-Halbbrücken:
    1200 V/600 A
    1700 V-/500 A
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SEMITRANS® 10

Robustes Hochleistungsmodul
  • Etabliertes Hochleistungsmodulgehäuse
  • 1200 V IGBT: 1400 A
    1700 V IGBT: 1000 A und 1400 A
  • Halbbrücken- und Split NPC-Topologien
  • Vollwertiges Second Source Produkt durchank alternative 1700 V IGBT Chipquelle und IGBT M7 der Generation M7
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SEMITRANS® 20

Der neue Standard für hohe Leistung
  • Die neuesten Leistungsmodule im Industriestandard für Hochleistungsanwendungen
  • 1200 V IGBT: 1400 A
    1700 V IGBT: 1000 A und 1200 A
  • Halbbrücken-Topologie
  • Niedrige Streuinduktivität, hohe Leistungsdichte
  • Erhöhte Zuverlässigkeit durch neueste Aufbau- und Verbindungstechnologie
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Leistungselektronik-Stackplattformen

Vollständig qualifizierte Wechselrichterbaugruppen, zugeschnitten auf spezifische Kundenanforderungen

 

Standard-Stacks

Leistungselektronik-Stacks von SEMIKRON ermöglichen es unseren Kunden, in dynamischen Märkten erfolgreich zu sein und sich jeder globalen Herausforderung zu stellen. Wir liefern Dioden-, Thyristor-, IGBT- und SiC-MOSFET-basierte Stacks für AC-Spannungen von 380 V bis 1000 V. Unsere Standard-Stacks decken einen Ausgangsstrombereich von 70 A bis 4000 A ab.

  • Wassergekühlte IGBT-Stacks
    SEMISTACK RE
    SKiiPRACK
    SEMIKUBE MLI
  • Luftgekühlte IGBT-Stacks
    SEMIKUBE
    SEMIKUBE MLI
    SEMIKUBE SlimLine
  • Dioden-/Thyristor-Stacks
    SEMISTACK CLASSIC B6U/B6C/W3C
Mehr über Leistungselektronik-Stacks

 

Kundenspezifische Stacks

Außer bei Standard-Stacks verfügt SEMIKRON über große Erfahrung in der Entwicklung kundenspezifischer Lösungen. Ingenieure stehen in unseren weltweiten Stack-Zentren zur Verfügung, um solche Lösungen durch die Anpassung bestehender Plattformen anzubieten oder kundenspezifische Stacks zu entwickeln.

Vier Schlüsselfaktoren für Ihren Erfolg

  • Kürzeste Zeit bis zur Markteinführung
  • Kosteneinsparungen in F&E, Produktion und Qualifizierung
  • Globale SEMIKRON Stack-Produktion
  • Sehr erfahrenes Ingenieurteam
Mehr über Kundenspezifische Stacks

Produktportfolio IGBT-Treiber

Besser als der Standard

Das einzigartige Produktportfolio von SEMIKRON ermöglicht den Zugang zu allen Industriezweigen mit Lösungen aus einer Hand, die modernste Leistungsmodule und Treiberelektronik kombiniert.

Die IGBT-Treiber von SEMIKRON sind verfügbar als ein- oder zweikanalige Treiberleiterplatten, als zweikanalige Treiber und Treiberkerne für die Montage auf Leiterplatten – geeignet für jedes Standard-Leistungsmodul oder als Plug-and-Play-Lösungen, perfekt abgestimmt auf SEMiX 3 Press-Fit, SEMITRANS 10 und kompatible Module.

Kosteneffizient

Erzielen Sie mit den Treibern von SEMIKRON unter Verwendung hochintegrierter ASIC-Technologie eine hervorragende Leistungsdichte und realisieren Sie platzsparende und kostengünstige Umrichter-Designs. Isolierte Zwischenkreisspannungs- und Temperatursensorsignale an der Schnittstelle des Treibers sowie Überspannungs- und Übertemperatursperre tragen ebenfalls zu einer deutlichen Reduzierung der Systemkosten bei.

Zeiteffizient

Mehr als 25 Jahre Erfahrung in der Entwicklung innovativer IGBT-Treiberelektronik ermöglichen es SEMIKRON, für fast jede Herausforderung im Zusammenhang mit Treiberelektronik eine kurzfristige Lösung zu bieten. Die Plug-and-Play-Treiber von SEMIKRON werden direkt an die meisten gängigen Standard-IGBT-Module angeschlossen. Die IGBT-Treiberkerne sind passend für SEMIKRON-Adapterplatinen oder Applikationsmuster-Leiterplatten. Für Letztere kann SEMIKRON dem Kunden auch die Fertigungsdaten zur Verfügung stellen, um dessen Entwicklungszeit zu verkürzen und die Markteinführung zu beschleunigen.

Zuverlässig

SKYPER und SKHI Treiber von SEMIKRON sind bewährte, äußerst robuste und zuverlässige IGBT-Treiberlösungen, auch für anspruchsvolle Umgebungsbedingungen.

Die proprietäre IGBT-Treibertechnologie wurde über viele Jahre im Feldeinsatz konsequent weiterentwickelt. Diese Technologie setzt neue Maßstäbe für die wesentlichen Merkmale der sicheren Gateansteuerung, des zuverlässigen Schutzes und der verstärkten Isolation.

Hauptmerkmale

  • Verstärkte Isolierung für Signal- und Energieübertragung
  • Zweikanaltreiber
  • Bis 1700 V transiente Kollektor-Emitter-Spannung
  • Bis 1500 V stationäre Zwischenkreisspannung
  • 8 Apk bis 35 Apk Ausgangsstrom pro Kanal
  • 1 W bis 4,2 W Spitzen-Ausgangsleistung pro Kanal
  • Geeignet für Multilevel-Topologien und IGBT der Generation 7

Treiberkerne

  • SKYPER & SKHI
  • Zweikanaltreiber zur Leiterplattenintegration mit SEMIKRON ASIC-Technologie, elektrischer Schnittstelle und integrierten Sicherheitsfunktionen
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Plug-and-Play-Treiber

  • SKYPER
  • Zweikanaltreiber für die direkte Modulmontage mit SEMIKRON ASIC-Technologie, elektrischer oder optischer Schnittstelle und integrierten Sicherheitsfunktionen
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Treiberleiterplatten, Adapterbaugruppen und Applikationsmuster

  • SKHI
  • Ein- und Zweikanal-Treiberleiterplatten mit elektrischer Schnittstelle und integrierten Sicherheitsfunktionen
  • Adapterplatinen für den Anschluss von Treiberkernen an SEMIKRON IGBT- und SiC-MOSFET Module
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Thermal Interface Material (TIM)

Cool bleiben – Wärmeabführung ist unsere Aufgabe

 

SEMIKRON war der erste Leistungsmodulhersteller auf dem Markt, der Leistungsmodule mit vorapplizierter Wärmeleitpaste anbot. Mit mehr als zwei Jahrzehnten Felderfahrung und mehr als 17 Millionen vorbedruckten Modulen im Feld sind neue Maßstäbe gesetzt. Die Module mit vorappliziertem TIM werden in sauberer Umgebung auf einer automatisierten und SPS-gesteuerten Siebdruck- und Schablonendrucklinie bedruckt.

SEMIKRON bietet für jede Anforderung die richtige Materialauswahl. Zusätzlich zu den Standard-silikonbasierten Wärmeleitpasten sind Phase-Change-Materialen und Hochleistungs-Wärmeleitpasten mit verbesserter Wärmeleitung erhältlich.

Je nach Kundenanforderung (z. B. Leistungssteigerung, reduzierter Handlingaufwand) und Modultyp (mit oder ohne Bodenplatte) bietet SEMIKRON entweder Wärmeleitpasten oder Phase-Change-Material an. Phase-Change-Materialen haben bei Raumtemperatur eine feste Konsistenz und nutzen die Vorteile einer nicht verwischbaren TIM-Schicht ohne Nachteile voll aus. Bei Modulen ohne Bodenplatte hingegen ist in der Regel ein Material mit geringerer Viskosität erforderlich, um die Robustheit bei der Montage zu verbessern. Hier ist Wärmeleitpaste die bevorzugte Lösung.

Hauptmerkmale

  • Gesteigerte Produktivität dank reduzierter Bearbeitungskosten und verbesserter Logistik
  • Niedriger Wärmewiderstand durch optimierte TIM-Schichtdicke
  • Verbesserte Lebensdauer und Zuverlässigkeit
  • Verbesserte Robustheit der Baugruppe
  • Module können ohne zusätzliche Bearbeitungsprozesse direkt an das Montageband geliefert werden
  • Reduzierte Gesamtkosten

Produktspektrum

  • P8: Phase-Change-Material für höchste Leistung
  • HT: Phase-Change-Material für hohe Kühlkörpertemperaturen
  • HPTP: Hochleistungswärmeleitpaste
  • P12: Standard-Wärmeleitpaste
Mehr über Thermal Interface Materials

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