Technologien
Die Aufbau- und Verbindungstechnologien zählen zu den Kernkompetenzen von Semikron Danfoss. Seit der Erfindung des weltweit ersten elektrisch isolierten Leistungshalbleitermoduls – des SEMIPACK – im Jahr 1975 hat sich unser Technologieportfolio erheblich weiterentwickelt. Unsere Innovationen bei Chipverbindung, Layout, Gehäusedesign und Kühlung steigern die Zuverlässigkeit und Effizienz von leistungselektronischen Systemen.

Aufbau- und Verbindungstechnologien
Die Mehrheit industrieller Leistungsmodule setzt bei der Chipanbindung auf bewährte, kostengünstige Drahtbond- und Lötverbindungen. Semikron Danfoss verfügt über jahrzehntelange Erfahrung im zuverlässigen Einsatz dieser Technologien in der Serienfertigung.

SPRiNG-Technologie
Die SPRiNG-Technologie stellt eine robuste elektrische Verbindung zwischen Leistungsmodulen und Leiterplatten ohne Schraub-, Löt- oder Press-Fit-Verbindungen her. Bereits in den 1990er-Jahren eingeführt, hat sich die eingesetzte SPRiNG-Technologie stark weiterentwickelt und kommt heute in zahlreichen Produkten und Anwendungen zum Einsatz. Jahrzehntelange Felderfahrung und Millionen an Leistungsmodulen im erfolgreichen Einsatz belegen die außergewöhnlich hohe Zuverlässigkeit dieser Technologie.

SKiiP-Technologie
Die SKiiP-Technologie steht hinter dem ersten bodenplattenlosen Leistungsmodul, das mittels mechanischem Druck den direkten thermischen Kontakt zum Kühlkörper herstellt. Durch den Verzicht auf Bodenplatte und Lötverbindungen ist der Aufbau besonders robust in Bezug auf Temperaturänderungen und Lastwechsel.

Single Sided Sintering-Technologie
Die Lötverbindung zwischen Chip-Rückseiten und Substrat sind seit jeher potentielle Schwachstellen, insbesondere bei hoher Beanspruchung durch Lastwechsel. Bei der Single Sided Sintering-Technology werden diese Verbindungen durch eine gesinterte Silberschicht ersetzt, wodurch die Lastwechselfestigkeit von Leistungsmodulen um ein Vielfaches erhöht wird.

Double Sided Sintering-Technologie
Die elektrische und thermische Anbindung von Leistungshalbleitern zählt zu den klassischen Schwachstellen, insbesondere an der Vorder- und Rückseite des Chips. Unsere Double Sided Sintering-Technologie – eine beidseitige Sintertechnologie, bei der sowohl auf Bonddrähte als auch auf Lotverbindungen verzichtet wird – beseitigt diese Schwachstellen vollständig und sorgt für herausragende Zuverlässigkeit im Betrieb.

Direct Pressed Die-Technologie
Mit dem Wegfall der Bonddrähte durch die Double Sided Sintering-Technologie ist die Chip-Oberseite nun frei zugänglich. Die Direct Pressed Die-Technologie nutzt diese zusätzliche Fläche und verbessert die thermische Performance deutlich – durch ein spezielles Drucksystem, das gezielt Kontakt- und Anpressdruck erzeugt.

Bond Buffer
Bond Buffer stellt einen Durchbruch in der bisherigen, auf Aluminium basierenden Bond- und Verbindungstechnologie dar. Die Kombination aus Kupferschicht, Sintertechnologie und Kupferbonddrähten läutet mit der Bond Buffer-Technologie eine neue Ära in der Gehäusetechnik von Leistungsmodulen ein.

Shower Power
Shower Power ist ein einzigartiges Konzept zur direkten Flüssigkeitskühlung von Leistungsmodulen. Diese patentierte Technologie bietet überlegene thermische Leistungseigenschaften bei äußerst niedrigen Kosten. Das Konzept basiert auf mehreren mäanderförmigen Kühlkanälen, die das Kühlmittel gezielt entlang der Bodenplatte führen. Dieses Design verbessert den Wärmeübergang, indem ein Rotationseffekt in den Kühlkanälen erzeugt wird. Dadurch wird ständig frisches Kühlmittel mit der zu kühlenden Oberfläche in Kontakt gebracht.

Transfer Molding
Besonders elektrische Antriebsstränge, die unter anspruchsvollen Bedingungen eingesetzt werden, profitieren von unserem einzigartigen Gehäusedesign, das im Spritzpressverfahren hergestellt wird. Gedichtet und somit optimal gegen Vibrationen und Feuchtigkeit geschützt, ergeben sich Vorteile in der Zuverlässigkeit und Robustheit, die dem Umrichterdesign zugutekommen. In Kombination mit unserer Bond Buffer-Technologie ermöglicht das Spritzpressen zudem extreme Temperaturwechsel und höhere Sperrschichttemperaturen - ein entscheidender Vorteil zur Steigerung der Leistungsdichte.