Grenzen überwinden
Um die Einschränkungen konventioneller Modultechnologien zu überwinden, wurde eine neue Bond- und Verbindungstechnologie für Leistungsmodule entwickelt. Dabei wird die klassische Lötverbindung zwischen DCB-Substrat und Halbleiter durch eine gesinterte Verbindung ersetzt. Zusätzlich wird eine Kupferplatte auf die Oberseite der Halbleiter-Metallisierung gesintert, und die herkömmlichen Aluminiumbonddrähte werden durch Kupferbonddrähte ersetzt.
Die Kombination dieser Verbesserungen – die gesinterte Verbindung zwischen Halbleiter und DCB-Substrat auf der Unterseite sowie der gesinterte Kupfer-Bond Buffer auf der Oberseite als Übergang zu den Kupferbonddrähten – wird als Bond Buffer-Technologie bezeichnet.
Eine dünne Kupferfolie (Bond Buffer), die auf die Oberseite der Halbleiteroberseite gesintert wird, erhöht die Wärmekapazität. Diese Schicht sorgt für eine gleichmäßige Stromverteilung (z. B. bei Kurzschlussbedingungen) und eine verbesserte Wärmeableitung.
Kupferbonddrähte ersetzen Aluminiumdrähte und bieten eine höhere Stromtragfähigkeit sowie eine bessere Wärmeleitung und -verteilung. Diese universelle Deckschicht ist sowohl in kundenspezifischen Designs als auch in Plattformprodukten wie dem DCM1000 erhältlich.