SEMITRANS® 2-9

更快开关速度,更高功率,成熟封装

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SEMITRANS® 经典系列 – 42kW至500kW

SEMITRANS经典系列是一种稳健的工业标准封装,配备铜底板和螺丝安装功率端子。SEMITRANS经典系列封装采用低电感设计,可用于25kW至500kW的逆变器。通过多渠道采购的IGBT以及赛米控CAL 二极管,SiC模块有带或不带混合SiC续流二极管的全SiC模块和带IGBT和SiC续流二极管的混合型SiC模块。这些模块的规格可达到900A和1700V。凭借超过25年的市场经验,SEMITRANS封装 提供成熟可靠、久经考验的标准化设计。

SEMITRANS® 经典系列 的优点

  • 强壮的工业标准封装
  • 多IGBT芯片源
  • 可提供SiC MOSFET和混合SiC模块
  • 丰富的产品系列

SEMITRANS® 2-9 关键特性

  • 提供600V、650V、1200V和1700V电压级别,电流从25A到900A的IGBT 模块
  • 可提供1200V和1700V 电流从200A到500A的碳化硅模块
  • 半桥、单开关、斩波器、多电平、三相全桥和共发射极拓扑结构
  • 采用DBC技术实现铜地板绝缘 某一些碳化硅模块是AIN AMB
  • 高绝缘电压

SEMITRANS® 经典系列 应用

这种久经考验的封装设计可用于广泛的应用,如能量回馈型逆变器 和电源。 超长的使用寿命完美契合严苛 应用。

SEMITRANS® 经典系列 产品范围

SEMITRANS经典系列提供丰富的拓扑结构和功率范围。可供选择 的标准电压级别涵盖600V到1700V。额定电流范围为50A到 900A。SEMITRANS封装具有半桥、斩波器、单开关、多电平、和共发射极拓扑结构。

广泛的产品系

  • 50A - 900A,5种外壳尺寸,提供多种拓扑结构
  • 完美契合任何应用

SEMITRANS® IGBT模块

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SEMITRANS®全碳化硅功率模块

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SEMITRANS®混合碳化硅功率模块

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SEMITRANS® MOSFET模块

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扩展产品系列: 开关速度更快,功率更高

62mm封装提供更高功率输出: 用于1200V和1700V的SEMITRANS 3产品系列扩展

  • 62mm封装外壳,功率提高33%
  • 基于成熟的IGBT芯片技术
  • 可用于半桥、斩波器和共发射极配置
  • 成熟的封

全新高速IGBT4 – 1200 V模块

  • 用于焊接、太阳能、谐振逆变器和医疗应用
  • 与标准的低功率IGBT技术相比,可大幅降低功率损耗
  • 由于芯片电流密度增加,可提供功率更高的产品型号
  • 赛米控全新超高速CAL4U二极管:完美匹配高速IGBT
  • 成熟的封装

久经考验的SEMITRANS封装

  • 新产品功率提升33%
  • 低电感设计
  • 可靠的机械封装
  • 广泛的IGBT技术

SEMITRANS SiC 模块实现更高的开关频率

混合SiC SEMITRANS 3 模块
IGBT 4 和SiC 二极管

混合SiC SEMITRANS 3 模块
  • 62毫米半桥拓扑
  • 1200V,200A的IGBT4和1200V,80A或160A的SiC肖特基二极管
  • 低电感设计
  • 可靠的封装技术

全SiC SEMITRANS 3 模块
使用SiC MOSFET ****

全SiC SEMITRANS 3 模块
  • 62毫米半桥拓扑
  • 1200V/350A和500A,1700V/260A SiC MOSFET
  • 防湿性强的Rohm Gen 2 SiC MOSFET芯片
  • 模块封装配备AlN AMB
  • 低电感设计
  • 可靠的封装技术

全SiC SEMITRANS 3 模块
SiC MOSFET 和混合SiC 二极管

装配SiC肖特基二极管全SiC SEMITRANS 3 模块
  • 62毫米半桥
  • 1200V/350A, 1700V/260A的SiC MOSFET
  • 防湿性强的Rohm Gen 2 SiC MOSFET和肖特基二极管芯片
  • 模块封装配备AlN AMB
  • 低电感设计
  • 可靠的封装技术