多个货源采购采用ROHM 1200V RGA IGBT
可替代IGBT 7功率模块，适用于工业电机驱动领域
随着全球电气化的快速发展，对功率模块的需求已经达到了前所未有的程度，芯片的供应经常限制了功率模块的供应。有鉴于此，赛米控丹佛斯与ROHM合作，采用ROHM新的1200V RGA IGBT芯片，结合工业标准外壳的封装，可实现真正的IGBT 7功率模块替代。
产品特性
- 新设计的1200V、沟槽栅极、弱穿通IGBT，Tj,max= 175°C
- 特别适用于中低功率的工业电机驱动应用
- 高峰值电流承载能力
- 耐湿性强
- 热阻低
- 真正的多源替代IGBT 7的功率模块
性能表现
1200V ROHM RGA IGBT，与第七代IGBT 芯片 一样，表现出低导通压降的特性。通过适当调整栅极电阻，开关特性表现非常接近。优化的芯片尺寸意味着RGA在1...10kHz的电机驱动应用中具有卓越的散热性能.
相关产品
赛米控丹佛斯可以提供ROHM 1200V RGA IGBT，其额定电流等级从10A到150A的功率模块。首批采用RGA的MiniSKiiP产品将提供三相全桥（"AC"）和整流器-逆变器-制动器（"NAB"）拓扑结构，可以对IGBT 7模块进行引脚兼容替换。MiniSKiiP畅销20年，其可靠性在电机驱动应用中得到了很好的验证。最新的迭代产品带有预涂的高性能导热硅脂（HPTP）。
针对PCB连接采用press-fit引脚或焊接方式的应用，行业标准的SEMITOP E系列将提供三相全桥（"GD"）和整流器-逆变器-制动器（"DGDL"）拓扑结构。SEMITOP E封装与其它工业标准产品完全兼容，并具有独特的压接设计以及卓越的散热性能。SEMITOP E可提供预涂HPTP或赛米控丹佛斯独有的（HP-PCM），以方便装配。
在赛米控丹佛斯功率模块中，使用1200V RGA IGBT芯片将以 "12RA "命名，例如，额定电流为35A的MiniSKiiP CIB模块将被命名为SKiiP 24NAB12RAV1。