SEMITRANS® Classic
Schnelleres Schalten, Höhere Leistung, Bewährtes Gehäuse
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SEMITRANS® Classic – 25 kW bis 500 kW
Die Leistungsmodule der SEMITRANS Classic Plattform besitzen robuste Industriestandard-Gehäuse mit Kupferbodenplatte und Schraubanschlüssen für die Leistungsverbindungen. Mit ihren niederinduktiven Gehäusen können SEMITRANS Classic Module z.B. in Wechselrichtern von 25 kW bis 500 kW eingesetzt werden. Die Module sind für Nominalströme bis 900 A und in Spannungsklassen bis 1700 V verfügbar, bestückt mit IGBTs verschiedener Hersteller und CAL-Dioden (einige 200 A Module auch mit SiC-Dioden). Außerdem werden SiC MOSFET Module mit und ohne hybride SiC Freilaufdioden gefertigt. Mit über 25 Jahren Markterfahrung sind die SEMITRANS Classic Module eine bewährte und verlässliche Standardmodul-Plattform.
SEMITRANS® Classic Vorteile
- Robuste Leistungsmodule in nach Industriestandard-Gehäusen
- Multiple-Sourcing für IGBT Chips
- Breites Portfolio
- SiC MOSFET- und Hybrid SiC Module verfügbar
SEMITRANS® Classic Hauptmerkmale
- IGBT-Module verfügbar in den Spannungsklassen 600/650 V, 650 V, 1200 V und 1700 V mit Nominalströmen von 50 A bis 900 A
- Module mit schnellen IGBTs und CAL- oder SiC Freilaufdioden verfügbar für Anwendungen mit höheren Schlaltfrequenzen
- SiC MOSFET Module verfügbar in den Spannungsklassen 1200V und 1700V mit Nominalströmen von 200 A bis 500 A
- Halbbrücken-, Einzelschalter-, Chopper-, Multi-Level-, Sixpack und Common-Emitter-Topologien
- Isolierte Kupferbodenplatte mit DCB Keramiksubstrat (einige SiC MOSFET Module mit AlN AMB Substrat)
- Hohe Isolationsspannung
SEMITRANS® Classic Anwendungen
Die bewährten SEMITRANS Classic Gehäuse sind für eine Vielzahl von Anwendungen konzipiert, wie z. B. rückspeisefähige Wechselrichter und Stromversorgungen. Durch die lange Lebensdauer eignen sie sich auch für anspruchsvolle Anwendungen
SEMITRANS® Classic Produktspektrum
Die SEMITRANS Classic Plattform umfasst eine breite Palette an Topologien und Leistungsklassen. Es werden alle Standard-Spannungsklassen von 600/650 V bis 1700 V abgedeckt. Die Strombelastbarkeit reicht von 50 A bis 900 A. In SEMITRANS Classic Gehäusen sind Module in den Topologien Halbbrücke, Chopper, Einzelschalter, Multi-Level, Sixpack und Common-Emitter verfügbar.
Großes Portfolio
- 50 A - 900 A, 5 Gehäusegrößen, unterschiedliche Topologien
- Optimal geeignet für viele Anwendungen
SEMITRANS® IGBT Module
Filter
- Product Type
- Product Line
- VCES in V
- ICnom in A
- Switches
- Technology
- Product Status
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SEMITRANS® SiC-MOSFET-Module
Filter
- Product Type
- Product Line
- VDS in V
- ID in A
- Switches
- Product Status
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SEMITRANS® Hybrid-SiC-Module
Filter
- Product Type
- Product Line
- VCE in V
- ICnom in A
- Switches
- Technology
- Product Status
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Neue Module
SEMITRANS 2 und 3 mit
Generation 7 IGBT M7
- Geringer Durchlass-Spannungsabfall
- Robust gegenüber Feuchtigkeit
- Multi-Sourcing für IGBT M7
- Halbbrücken-(GB) und Common-Emitter-(GM)Typen
- Motorantriebe, USV-Systeme, Solar- und Energiespeichersysteme, Stromversorgungen, Schweißen
Optimierte SEMITRANS 3 Module für Solar- und ESS-, Stromversorgungs- und USV-Systeme
- 1200-V-Module mit IGBT 4 (12E4/12T4) und IGBT 7 (12M7)-Chipsätzen
- Optimierte Freilaufdioden für geringere Leitungsverluste
- Erhältlich als Halbbrücken-(GB) und Common-Emitter-(GM)Topologie oder als Split-TNPC-Topologie
- Industriestandard-Gehäuse (volle Kompatibilität)
Portfolio-Erweiterung
der 650-V-Typen
- Erweiterung des 650-V-Portfolios auf niedrigere Stromklassen
- Halbbrücken-(GB)Typen
- Ersatz für 600-V-IGBT 2 ("063")
- Motorantriebe, USV-Systeme, Stromversorgungen, Schweißen/Schneiden
SEMITRANS 2 and 3
Datasheets
| In production new | Sample status |
|---|---|
| SEMITRANS 3 | SEMITRANS 2 |
| SKM300GB12M7 | SKM75GB12M7 |
| SKM400GB12M7 | SKM100GB12M7 |
| SKM460GB12M7 | SKM150GB12M7 |
| SKM460GM12M7 | SKM200GB12M7 |
| SKM600GB12M7 | SEMITRANS 3 |
| SKM600GM12M7 | SKM150GB12M7G |
| SKM200GB12M7G | |
| SKM800GB12M7 |
| In production new | Sample status |
|---|---|
| SKM450GB12E4D1 | SKM600GB12M7D1 |
| SKM450GB12T4D1 | SKM800GB12M7 |
| SKM600GB12E4D1 | SKM800GM12M7 |
| SKM600GM12E4D1 | |
| In production new | Sample status |
|---|---|
| SKM75GB07E3 | - |
| SKM100GB07E3 | - |
| SKM150GB07E3 | - |
Noch schnelleres Schalten mit SEMITRANS 3 Hybrid SiC und SiC MOSFET Modulen
Hybrid SiC SEMITRANS 3 Module
(IGBT4F und SiC Diode)
- 62mm Halbbrückenmodule
- 1200V, 200A IGBT4 & 1200V, 80A oder 160A SiC Schottkydiode
- Niederinduktives Design
- Robustes Gehäuse
SiC MOSFET SEMITRANS 3 Module ohne hybride Freilaufdiode
(Nutzung der SiC MOSFET Body Diode)
- 62mm Halbbrückenmodule
- 1200V/350A & 500A, 1700V/260A SiC MOSFET
- Feuchte-robuste Rohm Gen 2 SiC MOSFET Chips
- Einige Module mit AlN AMB
- Niederinduktives Design
- Robustes Gehäuse
SiC MOSFET SEMITRANS 3 Module mit hybrid integrierter SiC Schottkydiode
- 62mm Halbbrückenmodule
- 1200V/350A, 1700V/260A SiC MOSFET
- Feuchte-robuste Rohm Gen 2 SiC MOSFET und Schottkydioden-Chips
- Einige Module mit AlN AMB
- Niederinduktives Design
- Robustes Gehäuse