SKiiP®4 SiC

最大2400Aの電力範囲に対応するSKiiP 4 SiCは、SiC技術を用いた高出力コンバータ設計において、非常に便利で安全なソリューションを提供します。SKiiP 4に採用されている実績のある高性能かつ信頼性の高い実装技術（銀焼結、ベースプレートレス構造、高度な冷却システムなど）は、SiC MOSFETデバイスの潜在能力を最大限に引き出す最適な環境を作り出します。内蔵ゲートドライバーは、SKiiPのMOSFET技術とトポロジーに合わせて特別に設計されており、動作範囲全体にわたって安全かつ安定した動作を保証します。さらに、ドライバーアーキテクチャは、SiC技術の継続的な進歩に対応し、システム設計への影響を最小限に抑えるように設計されています。

SKiiP 4 SiCは、ハーフブリッジおよび多相トポロジーに対応しており、ヒートシンク上に搭載するパワーモジュールを柔軟に組み合わせることができます。CANバス機能を含むSKiiP4 IGBTから継承されたデジタルドライバーインターフェースにより、システム全体のアーキテクチャを変更することなく、IGBTベースまたはSiCベースのSKiiPをシームレスに選択できます。