SKiiP IPM
SKiiPテクノロジーは、電力設計をシステムレベルの構成要素にします。このテクノロジーは、SiCおよびIGBTベースのモジュール、ゲートドライブ、冷却技術を1つの完璧にマッチした構成に統合し、パワーエレクトロニクスを最も迅速かつ安全に統合する方法を提供します。1時間のバーンインテストを含む、生産終了時の最終テストにより、アプリケーションにおける最高の信頼性が保証されます。SKiiP IPM 1200V/1700V（IGBT）および2000V（SiC）製品ラインは、高性能かつ堅牢なインバータ設計のベンチマークとなります。すべてのSKiiP世代は、高電力密度と、空冷、液冷、カスタムヒートシンクなどの柔軟な冷却オプションを兼ね備えています。信頼性の高いドライバ技術、統合された電流センサー、包括的な保護機能がIPM設計を完成させます。
すべての SKiiP IPM
SKiiP IPMは20年以上にわたって市場に提供されてきました。複数の世代のSKiiPは、さまざまなアプリケーションでこのパワーエレクトロニクスの専門知識を活用してきました。SKiiP 3は産業用ドライブ分野で広く採用され、その後継であるSKiiP 7は、最新のIGBT/ダイオードチップ技術と高度なドライバーコンポーネントを組み込んでいます。6パックおよびハーフブリッジトポロジーを特徴とし、500Aから2400Aまでの電流範囲をサポートします。SKiiP 4プラットフォームは、IGBT技術を利用して性能を向上させ、最新の進化形では、高い信頼性と厳しいパワーサイクル要件に最適化されたSiCベースのモジュールを採用しています。SKiiP 4はIGBTで最大3600Aまで対応範囲を拡大し、一方、SKiiP 4 SiC 2000Vバリアントでは1500Vdcおよび高速スイッチングアプリケーションに対応し、最大2400Aを供給できます。
製品ライン別 SKiiP IPM
SKiiPテクノロジーは、IGBTまたはSiCモジュール、安全な信号絶縁のためのゲートドライブ、超高精度の電流および電圧センサー、そして効率的なヒートシンクを、完全に整合した1つのセットアップに統合しています。SKiiP IGBT IPMの1200Vおよび1700V製品ラインは、高性能で堅牢なインバータ設計のベンチマークを確立しています。SKiiP 3は産業用ドライブ分野で広く普及し、SKiiP 7は最新のIGBT/ダイオードチップ世代とドライバーコンポーネントをベースにした新世代です。6パックおよびハーフブリッジトポロジーにより、500Aから2400Aまでの電流範囲をカバーします。ハーフブリッジトポロジーで利用可能なSKiiP 4は、最高のパワーサイクル要件に最適化されており、最大3600Aまでのより高い電力範囲をカバーします。 ハーフブリッジおよび多相トポロジーで利用可能なSKiiP 4 SiCは、最大1500VのVdcを持つ高速スイッチングアプリケーション向けに、高性能SiCパワーエレクトロニクスへの便利で最も安全なアクセスを提供します。