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SKiiP®4 SiC

Mit einem Leistungsbereich von bis zu 2400 A bietet der SKiiP 4 SiC eine äußerst komfortableleicht nutztbare und sichere Lösung für Hochleistungs Umrichterdesigns auf Basis der SiC Technologie. Die im SKiiP 4 eingesetzten, bewährten Hochleistungs-hochperformanten und zuverlässigen Aufbau- und Verbindungstechnologien – darunter Silbersintern, eine grundplattenlose Konstruktion sowie fortschrittliche Kühlsysteme – schaffen optimale Voraussetzungen, um das volle Potenzial von SiC MOSFET Bauelementen auszuschöpfen. Der integrierte Gate Treiber ist speziell auf die MOSFET Technologie und die Topologie des SKiiP abgestimmt und gewährleistet einen sicheren und stabilen Betrieb über den gesamten Einsatzbereich. Darüber hinaus ist die Treiberarchitektur so ausgelegt, dass sie kontinuierliche Weiterentwicklungen der SiC Technologie unterstützt und den Einfluss auf das Systemdesign minimiert.

Der SKiiP 4 SiC kann in Halbbrücken- und Multiphase Topologien konfiguriert werden und ermöglicht damit flexible Kombinationen von Leistungsmoduleinheiten auf dem Kühlkörper. Die digitale Treiberschnittstelle, übernommen vom SKiiP4 IGBT inklusive CAN Bus Funktionalität, erlaubt einen nahtlosen Wechsel zwischen IGBT oder SiC basierten SKiiPs, ohne Anpassungen an der übergeordneten Systemarchitektur vornehmen zu müssen.

Leistungsmerkmale

  • Bodenplattenlose Ausführung mit Druckkontakten
  • Integrierte Strom- und Temperaturmessung
  • Integrierte Messung der Zwischenkreisspannung
  • Lötfreier Leistungsteil: SiNTER-Technologie
  • Schalt- und Sensorsignale mit sicherer Trennung
  • Digitale Signalübertragung mit CAN-Schnittstelle
  • zu 100 % geprüftes IPM

Anwendungen

  • Rechenzentren
  • Erneuerbare Energien
  • Traktionssysteme
  • Industrieantriebe
  • Mikronetze und Energieverteilung

Bauformen

  • SKiiP 4 SiC Halbbrücken- oder Multiphase‑Topologie mit 3, 4 oder 6 Modulen auf dem Kühlkörper