SKiiP IPM
Die SKiiP-Technologie vereint IGBT-Module, Gate-Treiber und Kühlung zu einem perfekt aufeinander abgestimmten System. Anwendungsnahe Prüfungen am Ende der Produktion, inklusive eines einstündigen Burn-in-Tests, gewährleisten höchste Zuverlässigkeit in der Anwendung. Die SKiiP-IPM Produktlinien mit 1200 V und 1700 V setzen Maßstäbe für leistungsstarke und robuste Umrichterdesigns. Alle SKiiP-Generationen zeichnen sich durch eine hohe Leistungsdichte und flexible Kühloptionen aus, zu denen beispielsweise Luft- oder Flüssigkeitskühlung sowie kundenspezifische Kühlkörper gehören. Zuverlässige Treibertechnologie, integrierte Stromsensoren und umfassende Schutzfunktionen runden das IPM-Design ab.
Alle SKiiP IPM
Seit über 20 Jahren ist das SKiiP IPM erfolgreich am Markt etabliert. Mehrere SKiiP-Generationen bringen das umfassende Know-how aus der Leistungselektronik in unterschiedlichste Anwendungen ein. SKiiP 3 hat sich besonders im industriellen Antriebssegment weit durchgesetzt. SKiiP 7 ist eine neue Generation, die auf modernen IGBT-/Diodenchips und aktuellen Treiberkomponenten basiert. Mit seinen Sixpack- und Halbbrücken-Topologien deckt es einen Strombereich von 500 A bis 2400 A ab. SKiiP 4, erhältlich in einer Halbbrückentopologie, wurde für höchste Anforderungen an Power Cycling optimiert und eignet sich für den oberen Leistungsbereich bis 3600 A.
SKiiP IPM nach Produktlinie
Die SKiiP-Technologie vereint IGBT-Module, Gate-Treiber zur sicheren Signaltrennung, hochpräzise Strom- und Spannungssensoren sowie einen effizienten Kühlkörper in einem perfekt aufeinander abgestimmten System. Die SKiiP-IPM-Produktlinien mit 1200 V und 1700 V setzen Maßstäbe für leistungsstarke und robuste Umrichterdesigns. SKiiP 3 hat sich besonders im industriellen Antriebssegment weit durchgesetzt. SKiiP 7 ist eine neue Generation, die auf modernen IGBT-/Diodenchips und aktuellen Treiberkomponenten basiert. Mit seinen Sixpack- und Halbbrücken-Topologien deckt es einen Strombereich von 500 A bis 2400 A ab. SKiiP 4, erhältlich in einer Halbbrückentopologie, wurde für höchste Anforderungen an Power Cycling optimiert und eignet sich für den oberen Leistungsbereich bis 3600 A.