技術トレンド

シリコンカーバイド パワーモジュール

シリコンカーバイドは、高出力アプリケーション向けの最高のワイドバンドギャップ半導体であることが急速に証明されつつあります。非常に低いスイッチング損失と MOSFET の利点を備えた SiC パワーモジュールは、太陽光発電インバータ、 UPS システム、モータドライブに採用されています。革新的なパッケージング技術により、セミクロンダンフォスは SiC を最大限に活用できる独自の立場にあります。

熱伝導材料

セミクロンダンフォスは、熱伝導材料 をあらかじめ塗布したパワーモジュールを市場で初めて提供したパワーモジュールメーカーです。現在、当社は 20年以上の経験を有し、3000 万以上のプレプリントモジュールの実績があります。

より高い動作電圧

動作電圧を上げることは、電流とそれに伴う導通損失を低減するための既知の技術です。高度なチップセットとトポロジーを備えた新しいパワーモジュールにより、高直流電圧での効率的なスイッチングが可能になります。

パッケージングの進化

新しいパワー半導体技術は、必ずしも完全に新しいパワーモジュールを必要とするわけではありません。長期にわたる実証済みのパッケージで改善を実施できます。これにより、設計者は大幅な再設計を行うことなく製品の性能を向上させることができます。