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より高い動作電圧

動作電圧を上げることは、電流とそれに伴う導通損失を低減するための既知の技術です。高度なチップセットとトポロジーを備えた新しいパワーモジュールとソリューションは、高直流電圧での効率的なスイッチングを可能にします。

高電圧をシンプルに

より高い動作電圧

太陽光発電業界はDCリンク電圧を 1000V から 1500V に押し上げており、これは現在、他の市場でも一般的になりつつあります。太陽光発電に隣接するエネルギー貯蔵システムでは、高電圧で連続動作可能なバッテリーが使用されています。電気自動車とその充電器は、電圧を上昇させて充電時間を短縮しています。従来は690VACだった風力タービンは、ライン電圧を 1000VAC 以上に押し上げています。

これらのアプリケーションはすべてマルチレベルトポロジーを活用しています。マルチレベルトポロジーは、以前は学術研究のトピックとして扱われるのみでしたが、現在では主流となっています。特に、太陽光発電インバータで人気のある中性点クランプ (NPC) トポロジーは、アクティブ中性点クランプ (ANPC) トポロジーに取って代わられました。このトポロジーは、効率的なバッテリーエネルギー貯蔵システムの必須条件である、プラスマイナス両方の力率で効率的に動作できます。このトポロジーは、 SEMiX 3 Press-Fit などの高出力ハーフブリッジから簡単に構築できます。これらのモジュールの端子レイアウトは、高出力コンバータの並列接続も容易にします。

2kV クラスのシリコンカーバイトが新たに利用可能になったため、場合によっては 2 レベルのコンバータに戻すことも可能です。最新世代の SiC MOSFET は、3 レベルコンバータと同じ等価周波数でのスイッチングが可能です。スイッチと関連するドライバーを減らすことによって、システム全体の複雑さを軽減します。SEMITRANS 20 は、2kV SiC を搭載し、3 レベルのトポロジーの物理的サイズを大幅に削減して MW クラスのコンバータを構築できます。バッテリーエネルギー貯蔵アプリケーションで使用する場合、このデバイスは同等の ANPC 設計よりも高い効率も提供します。

SiC の限界を押し広げる革新的なパワーモジュールとソリューション

お好きな方をお選びください

最高の性能を実現する SEMITOP® E2

SEMITOP E2

高度な2kV SiC技術を採用した SEMITOP E2 は、1500V 太陽光発電および ESS アプリケーションで非常に優れた性能を発揮します。この最先端の設計により、コンパクトな設置が可能になり、全体的な性能を最大限にまで高めることができます。低浮遊インダクタンスで設計されたこのモジュールは、効率的な液体冷却に最適化された革新的なベースプレートレス設計を特徴としています。

 

主な特徴

  • ベースプレートレス設計、液体冷却に最適化
  • 業界標準のパッケージ設計
  • 2kV のブロッキング電圧により、2 レベルのトポロジーで 1500VDC を実現
  • 並列による拡張性
  • 低浮遊インダクタンス
  • 最適化された熱性能

電力密度が極めて高い SEMITRANS®

SEMITRANS

SEMITRANS パワーモジュールは、新しい 2kV SiC 技術により、3 レベルのシリコンソリューションと比較してパワーエレクトロニクスの電力密度を向上させます。高いブロッキング電圧能力により、1500V で動作する 2 レベルコンバータの安全性を確保し、コンバータ設計を簡素化します。SEMITRANS 20 は、並列接続によりさらに高い電力レベルまで拡張できるように最適化された構造を提供します。SEMITRANS 3 は、低出力から高出力までのギャップを埋める中出力コンバータ設計を可能にします。

 

主な特徴

  • 業界標準のパッケージ設計
  • 2kV のブロッキング電圧により、2 レベルのトポロジーで 1500VDC を実現
  • 並列による拡張性
  • 低熱抵抗パッケージ設計
  • 低インダクタンスで高速スイッチング
  • 3 レベルシリコン設計と比較して損失が 20% 低く、冷却するための労力を削減

SKiiP® 4 SiC IPM が収益化までの時間を短縮

SkiiP 4 SiC

2kV SiC デバイスを搭載した新しい SKiiP 4 SiC は、ドライバー、電流検出、保護機能を内蔵し、1500V アプリケーションの安全な動作を実現します。SKiiP には空冷または水冷のヒートシンクが装備されており、100% 試験済みです。デジタルドライバーにより、複数の SiC MOSFET サプライヤーを使用することが可能であり、電流定格は並列接続したチップの数量に基づいて調整できます。

 

主な特徴

  • 2kV のブロッキング電圧により、2 レベルのトポロジーで 1500VDC を実現
  • ドライバー、電流センサー、液冷または空冷ヒートシンクを装備
  • ドライバーにはセミクロンダンフォス ASIC と複数の保護機能を搭載
  • 100% バーンイン試験

SEMISTACK® RE SiC による統合の向上

SEMISTACK RE

当社のパワーエレクトロニクススタックは、お客様がダイナミックな市場で成功を収め、自信を持ってグローバルな課題に取り組むお手伝いをします。最新の SEMISTACK RE は 2kV SiC 技術を活用し、1500V 用途向けに簡素化された 2 レベル設計を実現します。モジュール式で相互接続可能なアーキテクチャにより、 SKiiP 4 SiC をDCリンクおよびバスバーリングと統合して高集積化を実現し、収益化までの時間を短縮します。

 

主な特徴

  • 2kV のブロッキング電圧により、2 レベルのトポロジーで 1500VDC を実現
  • 最短時間で市場投入
  • 研究開発、製造、認定におけるコスト削減
  • グローバル セミクロンダンフォス スタック生産フットプリント
  • 経験豊富なエンジニアリングチーム

SKiiP® 4 SiC: 高速 2kV SiC 統合によるIPM

SKiiP は 30 年以上にわたり信頼されているソリューションです。OEM が新しい技術のリスクを管理するのを支援しています。新しい SiC 技術の統合を簡素化し、設計変更を必要としない安定したプラットフォームを提供します。SKiiP4 SiC は、最適な SiC 性能を実現するパワーモジュール、ドライバー、電流センサー、ヒートシンクを搭載した実績のある IPM 設計を特徴としています。

大規模なアプリケーションでは、Semistack RE SiC が、Power-to-Xやバッテリーエネルギー貯蔵システムなど、幅広い産業に適した柔軟なスタックソリューションを提供します。OEM は、特定のニーズに合わせて IPM またはスタック構成をお選びいただけます。市場投入までの時間が極めて重要な状況では、SKiiP4 SiC と Semistack RE SiC が迅速で信頼性の高いソリューションです。お好きな方をお選びください。