パワーモジュール

パワーモジュールは、すべての高電力コンバータの構成要素であり、パワー半導体ダイ（チップ）を外部に接続するために必要な機械的、熱的、および電気的インターフェースを提供します。パワーモジュールは、電力定格とアプリケーション要件に基づいてサイズ、形状、構造が異なります。IGBT、MOSFET、ダイオード、サイリスタは、高度なパッケージング技術を使用して、さまざまな回路トポロジーで構成されています。セミクロンダンフォスは、1975 年に最初の電気的に絶縁されたパワーモジュールを発明して以来、パワー半導体パッケージングのリーダーであり続けています。

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  すべてのパワーモジュール

  すべての セミクロンダンフォス パワーモジュールを掲載したカタログ。利用可能なあらゆるパッケージのすべての電流定格と電圧クラス。
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  チップ技術によるパワーモジュール

  主なデバイスタイプ別に整理されたパワーモジュール：IGBT、MOSFET、バイポーラ（ダイオード/サイリスタ）、シリコンおよびシリコンカーバイドの両方。
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  製品ライン別パワーモジュール

  セミクロンダンフォスのパッケージ/ハウジングタイプ別に整理されたパワーモジュール。コンパクトな SEMITOP からユニバーサルな SEMiX 、最高電力の SEMITRANS まで。