チップ技術によるパワーモジュール

IGBT モジュール

600V から 1700V までの電圧クラスで、最大 1400A のシリコン IGBT モジュール。あらゆる回路とアプリケーションに対応するモジュールの完全なポートフォリオ。複数のチップソースを備えた高性能ハウジングにおける高度なパッケージング技術。セミクロンダンフォスの高度な CAL ダイオードと組み合わせた最新世代の IGBT チップ。

SiCモジュール

最大 1700V / 600A のシリコンカーバイドMOSFETモジュールおよびハイブリッドシリコン / シリコンカーバイドモジュール。6 パック、ハーフブリッジ、バック/ブースト構成の完全なポートフォリオで、あらゆるアプリケーションに対応 。複数のソースからの最新世代チップを搭載した業界標準パッケージ。

MOSFET モジュール

100V 電圧クラス、最大 335A のシリコン MOSFET モジュール。SEMITOP パッケージのモジュールは、クラス最高のスイッチング性能を提供します。

サイリスタ / ダイオードモジュール

最大2200V / 1360Aのシリコン整流ダイオードおよびサイリスタモジュールSEMITOP Classic から実績のある SEMIPACK まで、あらゆる位相制御および整流器アプリケーションをカバーする幅広いパッケージを取り揃えています。

ブリッジ整流器モジュール

最大 2200V / 700Aのシリコンダイオード、混合、およびサイリスタのブリッジ整流器モジュール。さまざまなハウジングでさまざまな相構成とブレーキオプションが用意されており、対応するインバータモジュールと組み合わせることができます。