单面烧结

赛米控丹佛斯是将银烧结技术应用在大规模生产功率半导体模块的先驱。单面烧结技术于 2007 年首次引入，使用高温高压将银粉烧结成孔隙度非常低的界面层。所产生银层的熔化温度大约是传统锡银焊料的四倍。

这将导致银层的熔融温度与芯片工作温度之间存在很大差异。运行期间的热机械应力以及因此导致的此层变形会大大降低。

此外，烧结银的层厚比传统焊料要薄 70%。这意味着从芯片到散热片的热阻大大降低。