告别键合引线
双面烧结技术是单面烧结技术的自然演变，在解决背面连接的弱点后进一步升级。大多数工业功率半导体芯片的正面连接通过超声波焊接的铝线键合实现。随着背面连接替换为银烧结，这些引线键合成为了新的薄弱点。为了解决这一问题，赛米控丹佛斯将烧结技术与一层柔性薄膜相结合。该柔性层替代了芯片上的键合引线和 DBC 基板部分之间的键合引线。薄膜几乎可以将芯片的整个正面表面用作电气连接。这提供了比引线键合的点接触更坚固的连接，使其具有很高的功率循环承受力。由于表面积大，还改善了电路的浪涌电流处理。
除了提高可靠性外，此技术对于高速开关也极其有益。将扁平的宽柔性层用作导体大大减小了换流路径中的环路面积。这显著降低了杂散电感并最大限度地减少了开关瞬态应力，使其成为封装宽带隙器件的必要技术。