超越限制
为了克服当前模块技术的限制，开发了一种用于功率模块的新型键合和连接技术。DCB 基板和半导体之间的焊料连接替换为烧结连接。此外，在半导体表面金属化的基础上烧结了一层铜，传统的铝键合引线替换为了铜线。
这些改进的组合称为 Bond Buffer 技术，即底部半导体和 DBC 基板之间的烧结连接，顶部的烧结铜制 Bond Buffer，形成了与铜键合引线的接口。
烧结在半导体上表面顶部的薄铜箔 (Bond Buffer) 提高了热容。该层提供均匀的电流分配（如短路条件下）和更好的散热。
铜键合引线取代铝键合引线，提供额外的电流承载能力和更好的热传导和散热。这种通用顶层既可用于定制的特定设计，也可用于 DCM1000 等平台产品。