SKiiP®4 SiC 2kV - 应对 1500VDC 挑战

SKiiP 4 SiC 电流范围最高可达 2400A，为采用 SiC 技术的大功率变流器设计提供便捷且可靠的解决方案。SKiiP 4 采用成熟、高性能且可靠的组装技术——包括银烧结、无基板结构和先进冷却系统——为充分发挥 SiC MOSFET 器件的性能潜力创造了理想条件。

集成式的门级驱动设计专为SKiiP的MOSFET 技术和拓扑相匹配，确保在整个工作范围内实现安全稳定运行。此外，该驱动架构旨在适应 SiC 技术的持续演进，最大程度降低对系统设计的影响。

SKiiP 4 SiC 可配置为半桥和多相拓扑结构，支持在散热器上灵活组合功率模块。继承自 SKiiP 4 IGBT 的数字驱动接口（包括 CAN 总线功能），可在无需修改整体系统架构的情况下，在 IGBT 或 SiC 版本 SKiiP 之间实现无缝切换。

面向 1500V_DC 应用的大功率 SiC IPM

SiC 可实现更高效率和更快开关速度，但将其应用于大功率场景往往复杂且耗时。SKiiP 4 SiC 2kV 可显著简化这一过程。

作为完全集成的系统级构建模块，它在成熟的平台上集成了先进的 SiC 模块、优化匹配的栅极驱动器和业界领先的冷却技术，帮助您

简化、降风险，并更快地实现从设计到量产的转化。

SKiiP 4 SiC 专为 1500V_DC架构而设计，赋能可再生能源、power-to-X、绿色制氢及工业驱动应用——在关键应用中提供可靠、高性能的电力解决方案。

聚焦您的创新。

以 SiC 赋能。

随时可扩展。