SEMITRANS®3+
数十年来,62mm SEMITRANS 平台一直是全球工业功率变流器值得信赖的基石。SEMITRANS 3+ 基于这一经过验证的传承进行了完整的内部重新设计,可提供更高的功率密度、更高的效率,并增强对下一代变流器拓扑结构的支持,这一切都保持在经典 SEMITRANS 3 封装熟悉的机械外形尺寸内。
行业标准的演进
SEMITRANS 3+ 保留了众所周知的 62mm 外壳尺寸和外部接口,使 SEMITRANS 3 成为业内最广泛采用的功率模块平台之一。然而,在熟悉的封装背后是专为现代电力电子需求而精心优化的内部设计。
主要优势包括:
- 工作温度提高,Tj,op = 175°C
- 额定功率扩展至 ICnom = 1000A
- 大电流功率端子
- 更高的功率循环能力
- 耐湿性
- 采用我们的新型 CAL7二极管
针对三电平变流器进行了优化
随着效率要求的不断提高,三电平拓扑结构(如 T 型中点钳位 (TNPC) 变流器)正在成为 UPS 系统、可再生能源变频器和现代电机驱动等应用的首选架构。
SEMITRANS 3+ 经过专门优化,支持这些先进的变流器设计,可实现更高的输出功率和改进的系统性能,同时有助于设计人员降低复杂性和外形尺寸。
轻松的升级途径
SEMITRANS 3+ 的最大优势之一是与现有变流器设计的兼容性。通过保留经典 SEMITRANS 3 平台的外观和界面,客户可从最新的模块技术获益,同时最大程度地减少重新设计的工作量和验证成本。
制造商能够实现下列目标:
- 以最少的设计更改提升性能
- 加快上市时间
- 简化平台现代化升级
- 沿用现有的机械和电气集成方案

典型应用

SEMITRANS 3+ 是工业中大型功率变流器的理想解决方案,包括:工业用电源
- 不间断电源 (UPS)
- 数据中心电源系统
- 工业电机驱动器
- 风能变流器
- 太阳能和储能系统
产品组合
| 型号 | VCES,单位V | ICnom,单位A | 拓扑结构 |
| SKM453GB12E7 | 1200 | 450 | 半桥 |
| SKM453GM12E7 | 1200 | 450 | 共发射极 |
| SKM603GB12E7 | 1200 | 600 | 半桥 |
| SKM603GM12E7 | 1200 | 600 | 共发射极 |
| SKM803GB12E7 | 1200 | 800 | 半桥 |
| SKM803GM12E7 | 1200 | 800 | 共发射极 |
| SKM803GB12M7 | 1200 | 800 | 半桥 |
| SKM803GM12M7 | 1200 | 800 | 共发射极 |
| SKM1003GB12E7 | 1200 | 1000 | 半桥 |
| SKM1003GM12E7 | 1200 | 1000 | 共发射极 |
| SKM403GB17E7 | 1700 | 400 | 半桥 |
| SKM603GB17E7 | 1700 | 600 | 半桥 |
| SKM803GB17E7 | 1700 | 800 | 半桥 |
概览
SEMITRANS 3+ 将全球公认的平台可靠性与下一代电力电子所要求的性能相结合。
- 基于成熟的 62mm 行业标准封装
- 全面的内部重新设计,实现更高性能
- 针对三电平拓扑结构进行了优化
- 支持多个 IGBT 芯片版本,确保供应链的稳定
- 提高了功率密度和效率
- 降低杂散电感