SiC 模块

碳化硅 MOSFET 模块和混合硅 / 碳化硅模块，电流高达 600A，阻断电压高达 1700V。适合所有应用的三相全桥、半桥式、降压/升压拓扑。行业标准封装，配备多个来源的最新一代芯片。