基于芯片技术的功率模块

IGBT 模块

硅 IGBT 模块最大电流为 1400A，电压范围为 600V 至 1700V。完备的模块组合，适合所有电路和应用需求。先进的封装技术，采用高性能外壳，具有多个芯片来源。最新一代 IGBT 芯片搭配 Semikron Danfoss 的先进的 CAL 二极管。

SiC 模块

碳化硅 MOSFET 模块和混合硅 / 碳化硅模块，电流高达 600A，阻断电压高达 1700V。适合所有应用的三相全桥、半桥式、降压/升压拓扑。行业标准封装，配备多个来源的最新一代芯片。

MOSFET 模块

硅 MOSFET 模块，电压等级为 100V，最大电流为 335A。SEMITOP 封装中的模块具备一流的开关性能。

晶闸管/二极管模块

硅整流器二极管和晶闸管模块，电流高达 1360A，阻断电压高达 2200V。从 SEMITOP Classic 到久经考验的 SEMIPACK，各种封装适合所有相位控制和整流器应用。

桥式整流器模块

不可控、半可控和全可控桥式硅基整流器模块，阻断电压高达 2200V，最大电流 700A。不同封装中不同的拓扑配置和制动选件可与匹配的逆变器模块配合使用。