22896100
SKM200GB12F4SiC2
SEMITRANS 3
22896100
製品仕様
特徴 | 値 |
|---|---|
| 製品の状態 | In Production New |
| 原産国 | Slovakia |
| 電流 (A) | 200 A |
| 電圧 (V) | 1200 V |
| トポロジー | Half-Bridge |
| 製品ライン | SEMITRANS |
| ハウジング | SEMITRANS 3 |
| 寸法 | 106x62x31 |
| 技術 | Hybrid SiC |
| チップ技術 | SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench) |
| Features | IGBT4 = 4. Generation Fast Trench (High Speed) IGBT (Infineon)With Silicon Carbide Schottky diodes (ROHM)Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Bonded Copper)UL recognized, file no. E63532With integrated gate resistorFor higher switching frequencies |
| 代表的なアプリケーション | AC inverter drivesUPSElectronic weldersDC/DC converters |
| 旧部品番号 | 22896100 |
一般仕様
特徴 | 値 |
|---|---|
| 総重量 | 0.32 Kilogram |
| 正味重量 | 0.31 Kilogram |
| Proposition 65 | Cancer and Reproductive Harm |
Variant information
特徴 | 値 |
|---|---|
| バリアント | No accessory |
| 分類の簡単な説明 | Bare module without pre-applied TIM or lid |
| 分類の説明 | The SKM200GB12F4SiC2 is a 1200 V Hybrid SiC module and comes as bare module without pre-applied thermal interface material or lid, ideal for custom assembly processes. |