24923770
SK50MH120RM04ETE1
SEMITOP E1
24923770
製品仕様
特徴 | 値 |
|---|---|
| 製品の状態 | In Production New |
| 原産国 | Italy |
| 電流 (A) | 49 A |
| 電圧 (V) | 1200 V |
| トポロジー | H-Bridge |
| 製品ライン | SEMITOP |
| ハウジング | SEMITOP E1 |
| 寸法 | 63x34x12 |
| 技術 | SiC MOSFET |
| チップ技術 | Gen 4 SiC MOSFET (RM) |
| Features | Optimized design for superior thermal performanceLow inductance designPress-Fit contact technology1200V Trench Gen4 SiC MOSFETUnipolar gate controlIntegrated NTC temperature sensorUL recognized file no. E 63 532 |
| 代表的なアプリケーション | Electric Vehicle chargingEnergy Storage SystemsSolarUPS |
| 旧部品番号 | 24923770 |
一般仕様
特徴 | 値 |
|---|---|
| 総重量 | 0.037 Kilogram |
| 正味重量 | 0.022 Kilogram |
| Proposition 65 | Cancer and Reproductive Harm |
Variant information
特徴 | 値 |
|---|---|
| バリアント | No accessory |
| 分類の簡単な説明 | Bare module without pre-applied TIM or lid |
| 分類の説明 | The SK50MH120RM04ETE1 is a 1200 V SiC MOSFET module and comes as bare module without pre-applied thermal interface material or lid, ideal for custom assembly processes. |