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24923540

SK100MH120RM04ETE2

SEMITOP E2

製品仕様

特徴
製品の状態In Production New
原産国Italy
電流 (A)99 A
電圧 (V)1200 V
トポロジーH-Bridge
製品ラインSEMITOP
ハウジングSEMITOP E2
寸法63x57x12
技術SiC MOSFET
チップ技術Gen 4 SiC MOSFET (RM)
特徴Optimized design for superior thermal performanceLow inductance designPress-Fit contact technology1200V Trench Gen4 SiC MOSFETUnipolar gate controlOptimized switching stability thanks to module integrated gate resistorsIntegrated NTC temperature sensorUL recognized file no. E 63 532
代表的なアプリケーションElectric Vehicle chargingEnergy Storage SystemsSolarUPS
旧部品番号24923540

一般仕様

特徴
総重量0.058 Kilogram
正味重量0.038 Kilogram
Proposition 65Cancer and Reproductive Harm

Variant information

特徴
Variants<a href="/products/p/sk100mh120rm04ete2-m05-24923540vm05">SK100MH120RM04ETE2-M05</a><a href="/products/p/sk100mh120rm04ete2-m07-24923540vm07">SK100MH120RM04ETE2-M07</a>