Leistungsmodule nach Chiptechnologie

IGBT-Module

Silizium-IGBT-Module bis 1400A der 600V bis 1700V Spannungsklasse. Ein vollständiges Modulangebot, das alle Schaltungen und Anwendungen abdeckt. Herausragende Aufbau- und Verbindungstechnologie gepaart mit den Chips der führenden Anbieter. IGBT-Chips der neuesten Generation gepaart mit innovativen CAL-Dioden von Semikron Danfoss.

SiC-Module

Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Module und Silizium-/Siliziumkarbid-Hybridmodule bis 600A mit Sperrspannungen bis zu 1700V. Ein umfangreiches Portfolio an Sixpack-, Halbbrücken- und Buck/Boost-Topologien für die verschiedensten Anwendungen. Industriestandard-Gehäuse mit den neusten Chips der führenden Anbieter.

MOSFET-Module

Silizium-MOSFET-Module bis 335A in der 100V-Spannungsklasse. Die Module im SEMITOP-Gehäuse bieten Best-In-Class-Schalteigenschaften.

Thyristor-/Diodenmodule

Siliziumgleichrichterdioden- und Thyristormodule bis 1360A mit Sperrspannungen bis zu 2200V. Umfangreiches Modulangebot, vom SEMITOP Classic bis hin zum bewährten SEMIPACK für verschiedenste Phasensteuerungs- und Gleichrichteranwendungen.

Brückengleichrichter-Module

Ungeregelte, halbgesteuerte und vollgesteuerte Brückengleichrichtermodule in Siliziumtechnologie bis 700A und Sperrspannungen bis zu 2200V. Verschiedene Konfigurationen und Topologien in vielen Gehäuseformen für die Kombination mit passenden Umrichter-Modulen.