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Bruttogewicht

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Produktstatus

Herkunftsland

Stromstärke (A)

Spannung

Topologie

Produktlinie

Gehäuse

Abmessungen (LxBxH)

Technologie

Chip Technologie

Eigenschaften

Typische Anwendungsgebiete

Ehemalige Teilenummer

Proposition 65

SKM125KD12SC

SKM125KD12SC

Produktdaten

Allgemeine Spezifikationen

Variant information

Eigenschaften	Wert
Produktstatus	In Production
Herkunftsland	Italy
Stromstärke (A)	268 A
Spannung	1200 V
Topologie	Rectifier
Produktlinie	SEMITRANS
Gehäuse	SEMITRANS 3
Abmessungen (LxBxH)	106x62x31
Technologie	SiC MOSFET
Chip Technologie	SiC Schottky Diode
Eigenschaften	Full Silicon Carbide (SiC) power module1200V SiC Schottky FWDsHigh frequency rectifierImproved thermal performances with Aluminium Nitride (AlN) substrateUL recognized, file no. E63532
Typische Anwendungsgebiete	Rectifiers for DC/DC convertersHigh frequency rectifier applications
Ehemalige Teilenummer	21921830

Eigenschaften	Wert
Bruttogewicht	0.32 Kilogramm
Nettogewicht	0.31 Kilogramm
Proposition 65	Cancer and Reproductive Harm