21921830
SKM125KD12SC
SEMITRANS 3
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Produktdaten
Eigenschaften | Wert |
|---|---|
| Abmessungen (LxBxH) | 106x62x31 |
| Chip Technologie | SiC Schottky Diode |
| Ehemalige Teilenummer | 21921830 |
| Eigenschaften | Full Silicon Carbide (SiC) power module1200V SiC Schottky FWDsHigh frequency rectifierImproved thermal performances with Aluminium Nitride (AlN) substrateUL recognized, file no. E63532 |
| Gehäuse | SEMITRANS 3 |
| Herkunftsland | Italy |
| Produktlinie | SEMITRANS |
| Produktstatus | In Production |
| Spannung | 1200 V |
| Stromstärke (A) | 264 A |
| Technologie | SiC MOSFET |
| Topologie | Rectifier |
| Type | SEMITRANS 3 |
| Typische Anwendungsgebiete | Rectifiers for DC/DC convertersHigh frequency rectifier applications |
Allgemeine Spezifikationen
Eigenschaften | Wert |
|---|---|
| Bruttogewicht | 0.32 Kilogramm |
| Nettogewicht | 0.31 Kilogramm |
| Vorschlag 65 | Cancer and Reproductive Harm |