動作温度とパワーサイクル能力の向上
セミクロンダンフォスは、大量生産されたパワー半導体モジュールに銀焼結を採用した先駆者です。2007年に初めて導入された片面焼結技術プロセスでは、高温・高圧を利用して銀粉を焼結し、非常に気孔率の低い層を形成します。その結果生じる銀層の融解温度は、従来のスズ銀はんだの約 4 倍です。
これにより、銀層の融解温度とチップの動作温度の差が大きくなります。動作中の熱機械的応力、したがってこの層の変形が大幅に減少します。
さらに、焼結銀の層の厚さは従来のはんだよりも 70% 薄くなっています。これにより、チップからシンクまでの熱抵抗が大幅に低減されます。