限界を克服する
現在のモジュール技術の限界を克服するために、パワーモジュール用の新しい接着および接合技術が開発されました。DCB 基板と半導体の間のはんだ接合部は焼結接合部に置き換え、さらに半導体表面のメタライゼーションの上に銅板を焼結し、従来のアルミニウムボンディングワイヤーを銅ワイヤーに置き換えます。
これらの改良点、すなわち下面の半導体と DBC 基板間の焼結接続と、上面の銅ボンボンディングワイヤーとのインターフェイスを形成する焼結銅ボンドバッファーの組み合わせ（）は、ボンドバッファー技術として知られています。
半導体の上面に焼結された薄い銅箔（ボンドバッファー）は、熱容量を増加させます。この層により、均一な電流分布（短絡状態など）とより優れた放熱が実現します。
銅ボンディングワイヤーは、アルミニウムボンディングワイヤーの代わるもので、電流容量が増加し、熱伝導と放熱が向上します。このユニバーサル上面層は、カスタム設計だけでなく、 DCM1000 などのプラットフォーム製品にも利用可能です。