SKiiP®4 SiC 2kV – 1500VDCの課題への対応

最大2400Aの電力範囲を持つSKiiP 4 SiCは、SiCテクノロジーを利用した高出力コンバータ設計にとって、非常に便利で安全なソリューションを提供します。SKiiP 4に採用されている実証済みの高性能かつ信頼性の高い組立技術 – シルバーシンタリング、ベースプレートフリー構造、先進的な冷却システムを含む – は、SiC MOSFETデバイスの可能性を最大限に引き出すための最適な環境を創り出します。

統合ゲートドライバーは、SKiiPのMOSFET技術およびトポロジーに適合するように特別に設計されており、全動作範囲にわたって安全で安定した動作を保証します。さらに、ドライバーアーキテクチャは、SiCテクノロジーの継続的な進歩に対応し、システム設計への影響を最小限に抑えるように設計されています。

SKiiP 4 SiCはハーフブリッジおよび多相トポロジーで構成可能であり、ヒートシンクに実装されたパワーモジュールの柔軟な組み合わせを可能にします。SKiiP 4 IGBTから継承されたデジタルドライバインターフェース（CANバス機能を含む）により、システム全体のアーキテクチャを変更することなく、IGBTベースまたはSiCベースのSKiiP間でのシームレスな選択が可能になります。

1500V_DC対応の高出力SiC IPM

SiCはより高い効率とより高速なスイッチングを実現しますが、それを高出力アプリケーションに導入することは複雑で時間がかかる場合があります。SKiiP 4 SiC 2kVはそのステップを簡素化します。

完全に統合されたシステムレベルのビルディングブロックとして、先進的なSiCモジュール、最適化されたゲートドライブ、ベンチマーク冷却を実証済みのプラットフォーム上で組み合わせるため、複雑性を低減し、リスクを最小化し、設計から事業化までをより迅速に進めることができます。

1500V_DC アーキテクチャ向けに設計されたSKiiP 4 SiCは、再生可能エネルギー、パワー・トゥー・X、グリーン水素、産業用ドライブにおけるお客様のアプリケーションを強化し、最も重要な場面で信頼性の高い高性能電力を提供します。

お客様のイノベーションに集中してください。

SiCを搭載。

スケールアップ準備完了。