22892220
SKM200GB12T4SiC2
SEMITRANS 3
22892220
製品仕様
特徴 | 値 |
|---|---|
| 製品の状態 | In Production New |
| 原産国 | Slovakia |
| 電流 (A) | 200 A |
| 電圧 (V) | 1200 V |
| トポロジー | Half-Bridge |
| 製品ライン | SEMITRANS |
| ハウジング | SEMITRANS 3 |
| 寸法 | 106x62x31 |
| 技術 | Hybrid SiC |
| チップ技術 | SiC Diode + IGBT 4 (Trench) |
| 特徴 | IGBT4 = 4. Generation Fast Trench IGBT (Infineon)With Silicon Carbide Schottky diodes (ROHM)Insulated copper baseplate using DBC Technology (Direct Bonded Copper)UL recognized, file no. E63532Increased power cycling capabilityWith integrated gate resistorFor higher switching frequencies |
| 代表的なアプリケーション | AC inverter drivesUPSElectronic weldersDC/DC converters |
| Variants | <a href="/products/p/skm200gb12t4sic2-m04-22892220vm04">SKM200GB12T4SiC2-M04</a> |
| 旧部品番号 | 22892220 |
一般仕様
特徴 | 値 |
|---|---|
| 総重量 | 0.32 Kilogram |
| 正味重量 | 0.31 Kilogram |
| Proposition 65 | Cancer and Reproductive Harm |