24923530
SK100MH120RM04ETE1
SEMITOP E1
24923530
製品仕様
特徴 | 値 |
|---|---|
| Type | SEMITOP E1 |
| チップ技術 | Gen 4 SiC MOSFET (RM) |
| トポロジー | H-Bridge |
| ハウジング | SEMITOP E1 |
| 代表的なアプリケーション | Electric Vehicle chargingEnergy Storage SystemsSolarUPS |
| 原産国 | Italy |
| 寸法 | 63x34x12 |
| 技術 | SiC MOSFET |
| 旧部品番号 | 24923530 |
| 特徴 | Optimized design for superior thermal performanceLow inductance designPress-Fit contact technology1200V Trench Gen4 SiC MOSFETUnipolar gate controlOptimized switching stability thanks to module integrated gate resistorsIntegrated NTC temperature sensorUL recognized file no. E 63 532 |
| 製品の状態 | In Production New |
| 製品ライン | SEMITOP |
| 電圧 (V) | 1200 V |
| 電流 (A) | 89 A |
一般仕様
特徴 | 値 |
|---|---|
| 総重量 | 0.037 Kilogram |
| 正味重量 | 0.022 Kilogram |
| Proposition 65 | Cancer and Reproductive Harm |