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21920680

SKM260MB170SCH17

SEMITRANS 3

Produktdaten

Eigenschaften
Wert
Abmessungen (LxBxH)106x62x31
Chip TechnologieGen 2 SiC MOSFET (RM)
Ehemalige Teilenummer21920680
EigenschaftenFull Silicon Carbide (SiC) power moduleHigh reliability 2<sup>nd</sup> Generation SiC MOSFETsOptimized for fast switching and lowest power lossesExternal SiC Schottky Barrier Diode embeddedInsulated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper)Improved thermal performances with Aluminum Nitride (AlN) substrateUL recognized, file no. E63532
GehäuseSEMITRANS 3
HerkunftslandItaly
ProduktlinieSEMITRANS
ProduktstatusNot for New Designs
Spannung1700 V
Stromstärke (A)378 A
TechnologieSiC MOSFET
TopologieHalf-Bridge
TypSEMITRANS 3
Typische AnwendungsgebieteHigh frequency power suppliesAC invertersTraction APUEV ChargersIndustrial Test Systems

Allgemeine Spezifikationen

Eigenschaften
Wert
Bruttogewicht0.32 Kilogramm
Nettogewicht0.31 Kilogramm
Proposition 65Cancer and Reproductive Harm