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24923610

SK80MLLE120CR03TE1

SEMITOP E1

Produktdaten

Eigenschaften
Wert
Abmessungen (LxBxH)63x34x12
Chip TechnologieGen 3 SiC MOSFET (WS)
Ehemalige Teilenummer24923610
EigenschaftenOptimized design for superior thermal performanceExtremely low inductance designPress-Fit contact technology1200V Planar Gen3 SiC MOSSimple to drive with +15V gate voltageSiC Schottky diodeNew PEP diode technology for enhanced power and environmental robustnessIntegrated NTC temperature sensorUL recognized file no. E 63 532
GehäuseSEMITOP E1
HerkunftslandItaly
ProduktlinieSEMITOP
ProduktstatusIn Production New
Spannung1200 V
Stromstärke (A)77 A
TechnologieSiC MOSFET
TopologieChopper/Booster
TypeSEMITOP E1
Typische AnwendungsgebieteSolar

Allgemeine Spezifikationen

Eigenschaften
Wert
Bruttogewicht0.037 Kilogramm
Nettogewicht0.022 Kilogramm
Vorschlag 65Cancer and Reproductive Harm