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27895300VM07

SEMiX603GB12E4SiCp-M07

SEMiX 3p, HP-PCM

Produktdaten

Eigenschaften
Wert
Abmessungen (LxBxH)150x62x17
Chip TechnologieSiC Diode + IGBT 4 (Trench)
EigenschaftenWith Silicon Carbide (SiC) Schottky diodesHomogeneous SiTrench = Trenchgate technologyV<sub>CE(sat)</sub> with positive temperature coefficientPress-fit pins as auxiliary contactsThermally optimized ceramicUL recognized, file no. E63532
GehäuseSEMiX 3p
HerkunftslandSlovakia
ProduktlinieSEMiX
ProduktstatusIn Production
Spannung1200 V
Stromstärke (A)600 A
TechnologieHybrid SiC
TopologieHalf-Bridge
TypeSEMiX 3p
Typische AnwendungsgebieteAC inverter drivesUPSRenewable energy systems
VarianteHP-PCM

Allgemeine Spezifikationen

Eigenschaften
Wert
Bruttogewicht0.381 Kilogramm
Nettogewicht0.35 Kilogramm
Vorschlag 65Cancer and Reproductive Harm