Multiple-Source-Leistungsmodule mit ROHM 1200 V RGA IGBTs
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Eine echte Alternative zu IGBTs der Generation 7 für industrielle Motorantriebe
Das globale Wachstum der Elektrifizierungstechnologien hat zu einer starken Nachfrage nach Leistungsmodulen geführt. Oft ist es das Chipangebot, das die Verfügbarkeit von Leistungsmodulen begrenzt. Trotz laufender Investitionen der Chiphersteller in Produktionskapazitäten bleibt die Versorgungslage angespannt. Aus diesem Grund ist Semikron Danfoss eine Partnerschaft mit ROHM eingegangen, um dessen neuen 1200 V RGA IGBT anbieten zu können. Für eine Reihe von Industriestandardgehäusen gibt es somit jetzt eine echte Alternative zu IGBT-Leistungsmodulen der Generation 7.
Produktmerkmale
- Neu entwickelter 1200 V-, Light-Punch-Through-Trench-Gate-IGBT mit Tj,max = 175 °C
- Optimiert für industrielle Antriebsanwendungen im niedrigen bis mittleren Leistungsbereich
- Hohe Spitzenstromfähigkeit
- Robust gegenüber Feuchtigkeit
- Niedriger thermischer Widerstand
- Echte Multiple-Source-Alternative zu Leistungsmodulen mit IGBTs der Generation 7
Leistung
Der 1200 V ROHM RGA IGBT weist wie IGBTs der Generation 7 einen niedrigen Abfall der Durchlassspannung auf. Das Schaltverhalten ist mit einer kleinen Anpassung des Gate-Widerstands bemerkenswert ähnlich. Dank optimierter Chipgröße bietet der RGA eine überragende thermische Leistung in Motorantriebsanwendungen von 1...10kHz.
Produktangebot
Semikron Danfoss kann den ROHM 1200 V RGA IGBT mit Nennströmen zwischen 10 A und 150 A anbieten. Die ersten mit RGA ausgestatteten MiniSKiiPs werden in Sixpack("AC")- und Converter-Inverter-Brake("NAB")-Topologien erhältlich sein, um einen Pin-kompatiblen Ersatz für Module mit IGBTs der Generation 7 zu ermöglichen. Der MiniSKiiP hat sich zwei Jahrzehnte in Motorantriebsanwendungen zuverlässig bewährt und ist dort gut etabliert. Die neuesten Versionen werden mit vorapplizierter Hochleistungs-Wärmeleitpaste (HPTP) geliefert.
Für Press-Fit-/Lötanwendungen wird das Industriestandard-Gehäuse SEMITOP E auch in Pin-kompatiblen Konfigurationen zu bestehenden IGBT-Modulen der siebten Generation erhältlich sein. Beide Gehäusefamilien werden Sixpack- („GD“) und Converter-Inverter-Brake- („DGDL“) Schaltungskonfigurationen umfassen. Das SEMITOP E Gehäuse ist vollständig kompatibel mit anderen Industriestandardangeboten und zeichnet sich durch ein einzigartiges Druckdesign für hervorragende thermische Leistung aus. Der SEMITOP E ist mit vorappliziertem HPTP oder dem neuen, exklusiven, vorapplizierten Hochleistungs-Phase-Change-Material (HP-PCM) von Semikron Danfoss erhältlich, das die Handhabung bei der Montage erleichtert.
In den Leistungsmodulen von Semikron Danfoss wird die Verwendung von 1200 V RGA IGBTs durch die Nomenklatur "12RA" gekennzeichnet, z. B. wird ein MiniSKiiP CIB-Modul mit einem Nennstrom von 35 A als SKiiP 24NAB12RAV1 bezeichnet.